Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах. ![усилитель мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах](/FOTO1/FOTO2/darlington-1.jpg)
Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона - по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.
Достоинства транзистора Дарлингтона
- Высокий коэффициент усиления по току.
- Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
- Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
- Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.
- Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности. Принципиальная схема УНЧ ![](http://avtomob.3dn.ru/_pu/1/s42785465.jpg)
Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме - выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые TDA7294. Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294! ![](http://avtomob.3dn.ru/_pu/1/89004054.jpg)
![Плата унч дарлингтона - монтаж](/FOTO1/FOTO2/darlington-2.jpg)
Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!
![дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294](/FOTO1/FOTO2/darlington-4.jpg)
При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве.
![Усилитель звука с транзисторами Дарлингтона](/FOTO1/FOTO2/darlington-5.jpg)
Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107.
![Самодельный Усилитель Дарлингтона](/FOTO1/FOTO2/darlington-3.jpg)
Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 скачайте тут.
-
Материал p-n-перехода: Si
-
Структура транзистора: NPN
-
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W
-
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
-
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V
-
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
-
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A
-
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
-
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz
-
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20 Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.
Понравилась схема - лайкни!
ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ УНЧ
Смотреть ещё схемы усилителей
УСИЛИТЕЛИ НА ЛАМПАХ УСИЛИТЕЛИ НА ТРАНЗИСТОРАХ ![](/FOTO1/6222-2-.jpg)
УСИЛИТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ СТАТЬИ ОБ УСИЛИТЕЛЯХ ![](/FOTO1/6222-1-.jpg)
|